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  • 頭條一種具有極低電感的多芯片整體式Clip互連碳化硅功率模塊封裝方法
    2026-03-19 作者：張彤宇 等  |  來(lái)源：《電工技術(shù)學(xué)報(bào)》  |  點(diǎn)擊率：
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    導(dǎo)語(yǔ)多芯片碳化硅功率模塊具有理論上極其優(yōu)異的特性，然而傳統(tǒng)功率模塊的結(jié)構(gòu)與布局引入了較大的寄生電感，產(chǎn)生較大的開(kāi)關(guān)過(guò)沖與振蕩，進(jìn)而難以體現(xiàn)其理論上的優(yōu)越性。西安交通大學(xué)研究團(tuán)隊(duì)在《電工技術(shù)學(xué)報(bào)》2025年第16期上撰文，提出一種具有極低電感的多芯片整體式Clip互連碳化硅功率模塊封裝方法，將功率模塊內(nèi)部鍵合鋁線(xiàn)替換成Clip互連，利用電流反向耦合效應(yīng)降低功率模塊內(nèi)部寄生電感。同時(shí)，利用電容直連結(jié)構(gòu)消除外部回路寄生電感，與傳統(tǒng)布局功率模塊相比電感降低了44.6%。研究人員提出的封裝方法具有極低的寄生電感與電壓過(guò)沖，有利于減小碳化硅器件使用中的電壓過(guò)沖與損耗，提高變換器的效率。